ESD分析Part(3)
--靜電失效判定


芯片失效要依據(jù)測試的結(jié)果來判定，測試的方法應(yīng)芯片的不同也有所差異，分析的手段也
是多種多樣。這里順便介紹一種IC測試中常用的方法，是廣泛使用而且相對直觀的分析
方法之一，就是微光顯微鏡分析。本網(wǎng)站中“l(fā)atch-up分析”中開始時(shí)的照片就是通過此
種方法得到的。

微光顯微鏡具有極高的敏感度，通過偵測電流通過元器件時(shí)所發(fā)射出的微弱可見光，以提
供分析所需的信息。這種方法常用于latch-up分析及漏電流分析等方面。(可以說是微光顯
影技術(shù)，通過局部過熱而發(fā)出的光亮進(jìn)行拍照，再上色標(biāo)記，供電路設(shè)計(jì)人員分析)

個(gè)人認(rèn)為芯片是否失效，從普通用戶角度講就是能不能正常使用。對于應(yīng)用用戶來講就是
能不能達(dá)到規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)(spec.)。對于前者，可能更多考慮是產(chǎn)品的功能(當(dāng)然壞的東西你也
不會(huì)買，不過有可能買回來壞)，而后者也許會(huì)更加細(xì)致的進(jìn)行測試，以確認(rèn)不會(huì)有太大
的漏電流造成過多的能耗。

[3]中總結(jié)出三種，相對簡便的測試和判定依據(jù)，

1， **漏電流；
2， 相對電流、電壓漂移
3， 功能觀測法

三者判定依據(jù)

方法1：常規(guī)CMOS漏電流為1nA，如果測試I/O腳時(shí)結(jié)果電流超過1uA或者10uA，而
且隨偏壓增大而增大。
方法2：I-V特性曲線漂移過大([3]中認(rèn)為大于30%)。 
方法3：測試結(jié)果與spec.不符。

對于[2]中新增的兩種方法，似乎已被這三種情況所涵蓋，所以個(gè)人認(rèn)為沒有必要。比如，
短開路而言不具有普遍性，因此不應(yīng)作為判定的依據(jù)。

綜上所述，一顆完整的芯片，首先應(yīng)滿足用戶的功能需求(這一步對測試來說，相對繁瑣
一些，所以放在弟三位)。前兩者，可以選取PIN腳進(jìn)行測試(按針對本芯片的測試方法進(jìn)
行)，如果已經(jīng)認(rèn)定，自然就不要再作后面更繁瑣的工作了。(望指正)

工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對產(chǎn)品ESD敏感度作了等級(jí)評定，詳情請查閱相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。對ESD failure 
threshold 的取值，應(yīng)取極小值，也就是說對于一批芯片來說以承受電壓濟(jì)低的那顆為準(zhǔn)，
對于一顆芯片來說以承受電壓濟(jì)低的PIN來定義這顆芯片的ESD failure threshold。一批芯片
濟(jì)好要測 5 顆以上，但一般只會(huì)測 3 - 5 顆。

在詢問和請教了某公司**專家以后，得知通常的一些情況，比如四種放電模式中以HBM為濟(jì)基本
的測試模式。判定fail的情況也是只會(huì)用到兩種，一是function是否正常，二是測漏電流。